IXYS MOSFET IXFN32N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 28 A, SOT-227 de 4 pines,, config. Simple
Simple, Tipo de Montaje: Montaje roscado, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 320 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 6.IXYS MOSFET IXFN32N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 28 A, SOT-227 de 4 pines,, config.5V, Disipación de Potencia Máxima: 780 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 38.