Infineon MOSFET IPP029N06NAKSA1, VDSS 60 V, ID 100 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple
3V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.1V, Disipación de Potencia Máxima: 136 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 15. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4,4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.Infineon MOSFET IPP029N06NAKSA1, VDSS 60 V, ID 100 A, TO-220 de 3 pines,, config.