onsemi MOSFET FDC6306P, VDSS 20 V, ID 1,9 A, SOT-23 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
4V, Disipación de Potencia Máxima: 960 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Altura: 1mm, Longitud: 3mm.onsemi MOSFET FDC6306P, VDSS 20 V, ID 1,9 A, SOT-23 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 270 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.