Infineon MOSFET IPP041N12N3GXKSA1, VDSS 120 V, ID 120 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple
Infineon MOSFET IPP041N12N3GXKSA1, VDSS 120 V, ID 120 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4,1 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 300 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.36mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C.