onsemi MOSFET FDS8949, VDSS 40 V, ID 6 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 29 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 2000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 1.