onsemi MOSFET FDS6680A, VDSS 30 V, ID 12.5 A, SOIC de 8 pines,, config. Simple
Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 10 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 2500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 1.