Renesas Electronics Memoria SRAM, 4Mbit, 256k x 16 bits, TSOP-32, VCC máx. 5,5 V
5,5 V, Organización: 256K palabras x 16 bits, Número de Bits de Palabra: 16bit, Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo: 12ns, Baja Potencia: Sí, Tipo de Temporizador: Asíncrono, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Dimensiones: 21.05mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, MPN: R1RP0416DSB-2PI#D0.05 x 10.26 x 1mm, Longitud: 21.