onsemi MOSFET NTZS3151PT1G, VDSS 20 V, ID 950 mA, SOT-563 de 6 pines,, config. Simple
Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 240 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 210 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Altura: 0.onsemi MOSFET NTZS3151PT1G, VDSS 20 V, ID 950 mA, SOT-563 de 6 pines,, config.7mm.