Nexperia MOSFET PMGD290XN,115, VDSS 20 V, ID 860 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
5V, Disipación de Potencia Máxima: 410 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +12 V, Altura: 1mm.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.Nexperia MOSFET PMGD290XN,115, VDSS 20 V, ID 860 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado, Tipo de Encapsulado: SOT-363 (SC-88), Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 350 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.