Infineon MOSFET IPP086N10N3GXKSA1, VDSS 100 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
36mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 125 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 15,4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.Infineon MOSFET IPP086N10N3GXKSA1, VDSS 100 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, config.