Infineon MOSFET IPP180N10N3GXKSA1, VDSS 100 V, ID 43 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple
Infineon MOSFET IPP180N10N3GXKSA1, VDSS 100 V, ID 43 A, TO-220 de 3 pines,, config.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 71 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10. Simple, Serie: OptiMOS™ 3, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 33 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.36mm.