OSI Optoelectronics Fotodiodo de silicio, IR, λ sensibilidad máx.
pasante, encapsulado TO-52 de 3 pines. 800nm, mont. OSI Optoelectronics Fotodiodo de silicio, IR, λ sensibilidad máx.4mm, Fotosensibilidad de Pico: 50A/W, Polaridad: Inverso, MPN: APD10-8-150-T52 800nm, mont.