onsemi MOSFET FDS9953A, VDSS 30 V, ID 2.9 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
9 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 130 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mÃnima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 2000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.onsemi MOSFET FDS9953A, VDSS 30 V, ID 2.