Infineon MOSFET IPB036N12N3GATMA1, VDSS 120 V, ID 180 A, D2PAK-7 de 7 pines,, config. Simple
Simple, Tipo de Encapsulado: D2PAK (TO-263), Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,6 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mÃnima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 300 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 4.Infineon MOSFET IPB036N12N3GATMA1, VDSS 120 V, ID 180 A, D2PAK-7 de 7 pines,, config.57mm.