onsemi MOSFET FDS4465, VDSS 20 V, ID 13,5 A, SOIC de 8 pines,, config. Simple
Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 9 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mÃnima: 0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 2,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C.onsemi MOSFET FDS4465, VDSS 20 V, ID 13,5 A, SOIC de 8 pines,, config.