Infineon MOSFET IPG20N04S412ATMA1, VDSS 40 V, ID 20 A, TDSON de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 12,2 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 41 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 1mm.Infineon MOSFET IPG20N04S412ATMA1, VDSS 40 V, ID 20 A, TDSON de 8 pines, 2elementos, config.