STMicroelectronics MOSFET STD6N60M2, VDSS 650 V, ID 4,5 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple
Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,2 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mÃnima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 60 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 2.4mm.STMicroelectronics MOSFET STD6N60M2, VDSS 650 V, ID 4,5 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config.