onsemi MOSFET FQB4N80TM, VDSS 800 V, ID 3,9 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple
Simple, Serie: QFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,6 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 3,13 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.